Book/Report

FZJ-2018-03597

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si$_{3}$N$_{4}$-Werkstoffen

Sun Woo, J. (Corresponding author)FZJ*

1991
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/19034

Report No.: Juel-2523

Abstract: Bis jetzt wurden viele Verbindungsverfahren von Si$_{3}$N$_{4}$ -Si$_{3}$N$_{4}$ entwickelt. Aber sie zeigten keine besseren Festigkeitsverhalten als die vom Ausgangsmaterial aufgrund dereingefügten Sinterzusätze oder Zwischenschichtmaterialien bei dem Verbindungsvorgang. Inhalt dieser Arbeit ist die Entwicklung und Optimierung reproduzierbarer Verbindungsverfahren von Si$_{3}$N$_{4}$-Si$_{3}$N$_{4}$ ohne Zwischenschichtmaterialien mittels HIP- und Vakuumplasmaspritz-Anlage. Parallel dazu werden auch Versuche zur Herstellung von Si$_{3}$N$_{4}$ ´Sinterkörpern aus Si$_{3}$N$_{4}$-Pulver ohne Sinterzusätze mittels HIP-Sinterkörpern aus Si Technik durchgeführt und weiterhin das Verbindungsverhalten von Si$_{3}$N$_{4}$-Metall erprobt und charakterisiert. Bei dem Verbindungsverfahren werden wesentliche Verbindungsparameter z. B. HIP-Temperatur, Druck, Haltezeit, Oberflächenrauhigkeitund Wärmebehandlungen gesondert untersucht, wobei das Festigkeitsverhalten der gefügten Si$_{3}$N$_{4}$-Si -Verbindungen durch 4P-Biegeversuche bei R. T. und 1200°C beurteilt wird .

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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